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IXTQ62N15P

IXTQ62N15P

僅供參考

型號 IXTQ62N15P
PNEDA編號 IXTQ62N15P
描述 MOSFET N-CH 150V 62A TO-3P
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTQ62N15P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTQ62N15P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTQ62N15P, IXTQ62N15P數據表 (總頁數: 5, 大小: 252.12 KB)
PDFIXTQ62N15P數據表 封面
IXTQ62N15P數據表 頁面 2 IXTQ62N15P數據表 頁面 3 IXTQ62N15P數據表 頁面 4 IXTQ62N15P數據表 頁面 5

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IXTQ62N15P規格

制造商IXYS
系列PolarHT™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)62A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs70nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2250pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)350W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3P
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 43A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 210µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

474pF @ 100V

FET功能

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525V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1030pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

44W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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