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IXTQ76N25T

IXTQ76N25T

僅供參考

型號 IXTQ76N25T
PNEDA編號 IXTQ76N25T
描述 MOSFET N-CH 250V 76A TO-3P
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTQ76N25T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTQ76N25T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTQ76N25T, IXTQ76N25T數據表 (總頁數: 6, 大小: 207.44 KB)
PDFIXTH76N25T數據表 封面
IXTH76N25T數據表 頁面 2 IXTH76N25T數據表 頁面 3 IXTH76N25T數據表 頁面 4 IXTH76N25T數據表 頁面 5 IXTH76N25T數據表 頁面 6

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IXTQ76N25T規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)76A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs39mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs92nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)460W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3P
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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70V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

298pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.11W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

43A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 20A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90.8nC @ 20V

Vgs(最大)

+25V, -5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1915pF @ 800V

FET功能

-

功耗(最大值)

313mW (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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