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IXTQ86N20T

IXTQ86N20T

僅供參考

型號 IXTQ86N20T
PNEDA編號 IXTQ86N20T
描述 MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,904
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTQ86N20T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTQ86N20T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXTQ86N20T規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)86A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs29mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs90nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)480W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3P
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

105nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3505pF @ 15V

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 180µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

139nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

78mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 12µA

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Vgs(最大)

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