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IXTT88N30P

IXTT88N30P

僅供參考

型號 IXTT88N30P
PNEDA編號 IXTT88N30P
描述 MOSFET N-CH 300V 88A TO-268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTT88N30P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTT88N30P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTT88N30P, IXTT88N30P數據表 (總頁數: 5, 大小: 324.08 KB)
PDFIXTT88N30P數據表 封面
IXTT88N30P數據表 頁面 2 IXTT88N30P數據表 頁面 3 IXTT88N30P數據表 頁面 4 IXTT88N30P數據表 頁面 5

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IXTT88N30P規格

制造商IXYS
系列PolarHT™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)88A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs180nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)600W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-268
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 13.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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340mA

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

200mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 50A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

161nC @ 20V

Vgs(最大)

+25V, -10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2788pF @ 1000V

FET功能

-

功耗(最大值)

463W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3780pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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