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IXTU12N06T

IXTU12N06T

僅供參考

型號 IXTU12N06T
PNEDA編號 IXTU12N06T
描述 MOSFET N-CH 60V 12A TO-251
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,488
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTU12N06T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTU12N06T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXTU12N06T規格

制造商IXYS
系列TrenchMV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs85mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.4nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds256pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)33W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-251
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3900pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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IXYS Integrated Circuits Division

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

350V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35Ohm @ 140mA, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 39A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.1mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1.45mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1680pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 19W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4965pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

310W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

930mW (Ta), 48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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