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IXTV22N60P

IXTV22N60P

僅供參考

型號 IXTV22N60P
PNEDA編號 IXTV22N60P
描述 MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,718
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 8 - 十一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTV22N60P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTV22N60P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTV22N60P, IXTV22N60P數據表 (總頁數: 5, 大小: 314.66 KB)
PDFIXTV22N60PS數據表 封面
IXTV22N60PS數據表 頁面 2 IXTV22N60PS數據表 頁面 3 IXTV22N60PS數據表 頁面 4 IXTV22N60PS數據表 頁面 5

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IXTV22N60P規格

制造商IXYS
系列PolarHV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs350mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs62nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)400W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS220
包裝/箱TO-220-3, Short Tab

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36.3nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

950mW (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1306pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

62W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Nexperia USA Inc.

系列

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

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