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IXTV280N055T

IXTV280N055T

僅供參考

型號 IXTV280N055T
PNEDA編號 IXTV280N055T
描述 MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTV280N055T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTV280N055T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTV280N055T, IXTV280N055T數據表 (總頁數: 5, 大小: 295.39 KB)
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IXTV280N055T規格

制造商IXYS
系列TrenchMV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)280A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs200nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)550W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS220
包裝/箱TO-220-3, Short Tab

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250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

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250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

64A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

129nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10175pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

357W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 42A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

89nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2950pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.9mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 34µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4900pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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功耗(最大值)

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