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IXTX110N20L2

IXTX110N20L2

僅供參考

型號 IXTX110N20L2
PNEDA編號 IXTX110N20L2
描述 MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,830
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTX110N20L2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTX110N20L2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTX110N20L2, IXTX110N20L2數據表 (總頁數: 5, 大小: 158.92 KB)
PDFIXTX110N20L2數據表 封面
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IXTX110N20L2規格

制造商IXYS
系列Linear L2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)110A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 3mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs500nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds23000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)960W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS247™-3
包裝/箱TO-247-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 140µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

555pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

22W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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IXYS

制造商

IXYS

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

54A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.1Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.72nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

250mW (Ta), 770mW (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 10.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4700pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Ta), 83.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

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