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IXTX17N120L

IXTX17N120L

僅供參考

型號 IXTX17N120L
PNEDA編號 IXTX17N120L
描述 MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTX17N120L資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTX17N120L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTX17N120L, IXTX17N120L數據表 (總頁數: 5, 大小: 153.58 KB)
PDFIXTK17N120L數據表 封面
IXTK17N120L數據表 頁面 2 IXTK17N120L數據表 頁面 3 IXTK17N120L數據表 頁面 4 IXTK17N120L數據表 頁面 5

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IXTX17N120L規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)20V
Rds On(Max)@ Id,Vgs900mOhm @ 8.5A, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs155nC @ 15V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)700W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS247™-3
包裝/箱TO-247-3

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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12.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

88nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

92mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3Ohm @ 3.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2115pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

160W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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