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IXTY1N80

IXTY1N80

僅供參考

型號 IXTY1N80
PNEDA編號 IXTY1N80
描述 MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,394
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTY1N80資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTY1N80
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTY1N80, IXTY1N80數據表 (總頁數: 2, 大小: 571.05 KB)
PDFIXTP1N80數據表 封面
IXTP1N80數據表 頁面 2

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IXTY1N80規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)750mA (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds220pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)40W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252AA
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Diodes Incorporated

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 11A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

240V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 350mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 108µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.7nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

108pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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PG-SOT223-4

包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

SIPMOS®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

240V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 350mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 108µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

95pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-SOT223-4

包裝/箱

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Infineon Technologies

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.3A (Ta), 34A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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Vgs(最大)

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功耗(最大值)

2.5W (Ta)

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