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IXTY1R4N60P

IXTY1R4N60P

僅供參考

型號 IXTY1R4N60P
PNEDA編號 IXTY1R4N60P
描述 MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTY1R4N60P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTY1R4N60P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTY1R4N60P, IXTY1R4N60P數據表 (總頁數: 4, 大小: 152.02 KB)
PDFIXTU1R4N60P數據表 封面
IXTU1R4N60P數據表 頁面 2 IXTU1R4N60P數據表 頁面 3 IXTU1R4N60P數據表 頁面 4

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IXTY1R4N60P規格

制造商IXYS
系列PolarHV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.2nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds140pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252, (D-Pak)
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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11A (Ta), 43A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.8nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

670nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

47000pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 12A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 15V

FET功能

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3.1W (Ta)

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