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IXTY3N50P

IXTY3N50P

僅供參考

型號 IXTY3N50P
PNEDA編號 IXTY3N50P
描述 MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,024
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTY3N50P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTY3N50P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXTY3N50P規格

制造商IXYS
系列PolarHV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.3nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds409pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)70W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252AA
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

910pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 55W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I-PAK

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

150mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.58nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

154nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-TO252-3-313

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4780pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

230W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±20V

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FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 54W (Tc)

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