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IXYN75N65C3D1

IXYN75N65C3D1

僅供參考

型號 IXYN75N65C3D1
PNEDA編號 IXYN75N65C3D1
描述 IGBT
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXYN75N65C3D1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXYN75N65C3D1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IXYN75N65C3D1規格

制造商IXYS
系列XPT™, GenX3™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)150A
電流-集電極脈沖(Icm)360A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.3V @ 15V, 60A
功率-最大600W
開關能量2mJ (on), 950µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用122nC
25°C時的Td(開/關)26ns/93ns
測試條件400V, 60A, 3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)65ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝SOT-227B

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

23A

電流-集電極脈沖(Icm)

92A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 12A

功率-最大

100W

開關能量

360µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/78ns

測試條件

480V, 12A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 20A

功率-最大

348W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

208nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

43A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

174W

開關能量

215µJ (on), 245µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

8ns/80ns

測試條件

400V, 20A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IRG4BC20UD-STRR

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

功率-最大

60W

開關能量

160µJ (on), 130µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

39ns/93ns

測試條件

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

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門禁費用

167nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/254ns

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