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J105

J105

僅供參考

型號 J105
PNEDA編號 J105
描述 JFET N-CH 25V 625MW TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,230
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

J105資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號J105
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
J105, J105數據表 (總頁數: 8, 大小: 545.92 KB)
PDFJFTJ105數據表 封面
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J105規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)500mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID4.5V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)3 Ohms
功率-最大625mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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55V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

30mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

150mW

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

750mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

12mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

0V @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

150mW

工作溫度

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

8mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 20V

電阻-RDS(On)

80 Ohms

功率-最大

360mW

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

3-SMD, No Lead

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

100 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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