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J107

J107

僅供參考

型號 J107
PNEDA編號 J107
描述 JFET N-CH 25V 625MW TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,644
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

J107資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號J107
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
J107, J107數據表 (總頁數: 8, 大小: 545.92 KB)
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J107規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)100mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID500mV @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)8 Ohms
功率-最大625mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

240µA @ 2V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

100mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.1pF @ 2V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

3-SMD, Flat Leads

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

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系列

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 3nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 0V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AC, TO-52-3 Metal Can

供應商設備包裝

TO-206AC (TO-52)

2SK545-11D-TB-E

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

60µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.5V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1.7pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

125mW

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

3-CP

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

30mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 3nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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