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J271

J271

僅供參考

型號 J271
PNEDA編號 J271
描述 JFET P-CH 30V 0.35W TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,304
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

J271資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號J271
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
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J271規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)6mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID1.5V @ 1nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)-
功率-最大350mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

7mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

125 Ohms

功率-最大

300mW

工作溫度

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電流消耗(Id)-最大

6.5mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

400mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8.2pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

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125°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

750mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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