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JAN1N1190R

JAN1N1190R

僅供參考

型號 JAN1N1190R
PNEDA編號 JAN1N1190R
描述 DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,742
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N1190R資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N1190R
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N1190R規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/297
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)35A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 110A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

9µA @ 650V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

70A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

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