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JAN1N1202AR

JAN1N1202AR

僅供參考

型號 JAN1N1202AR
PNEDA編號 JAN1N1202AR
描述 DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,894
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N1202AR資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N1202AR
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N1202AR規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/260
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.35V @ 38A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-203AA (DO-4)
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

28pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.2V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

32ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 300V

電容@ Vr,F

3pF @ 6V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 40V

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

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