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JAN1N4102DUR-1

JAN1N4102DUR-1

僅供參考

型號 JAN1N4102DUR-1
PNEDA編號 JAN1N4102DUR-1
描述 DIODE ZENER 8.7V DO213AA
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N4102DUR-1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N4102DUR-1
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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JAN1N4102DUR-1規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/435
電壓-齊納(額定)(Vz)8.7V
公差±1%
功率-最大-
阻抗(最大值)(閽zt)200 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 6.7V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AA (Glass)
供應商設備包裝DO-213AA

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

105 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 36V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-123

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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公差

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功率-最大

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-反向泄漏@ Vr

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

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