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JAN1N4150UR-1

JAN1N4150UR-1

僅供參考

型號 JAN1N4150UR-1
PNEDA編號 JAN1N4150UR-1
描述 DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,816
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N4150UR-1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N4150UR-1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N4150UR-1規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/231
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)200mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AA
供應商設備包裝DO-213AA
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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SOD-57

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制造商

Microsemi Corporation

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二極管類型

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400V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 9A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AA (Glass)

供應商設備包裝

DO-213AA (GL34)

工作溫度-結點

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600V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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