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JAN1N5415US

JAN1N5415US

僅供參考

型號 JAN1N5415US
PNEDA編號 JAN1N5415US
描述 DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,894
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N5415US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N5415US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N5415US規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/411
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 9A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱B, Axial
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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30V

電流-平均整流(Io)

30mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

370mV @ 1mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 30V

電容@ Vr,F

2pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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35V

電流-平均整流(Io)

18A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 18A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2.5mA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 30V

電容@ Vr,F

900pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

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Through Hole

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