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JAN1N5623US

JAN1N5623US

僅供參考

型號 JAN1N5623US
PNEDA編號 JAN1N5623US
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,056
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 11 - 一月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N5623US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N5623US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N5623US規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/429
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.6V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)500ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 1000V
電容@ Vr,F15pF @ 12V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, A
供應商設備包裝D-5A
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

800A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.65V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1600V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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