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JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

僅供參考

型號 JAN1N5802URS
PNEDA編號 JAN1N5802URS
描述 DIODE GEN PURP 50V 1A APKG
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 9 - 一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N5802URS資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N5802URS
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N5802URS規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/477
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果875mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 50V
電容@ Vr,F25pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, A
供應商設備包裝D-5A
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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2200V

電流-平均整流(Io)

250A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 800A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

11µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 2200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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1200V

電流-平均整流(Io)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.09V @ 60A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1.2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 400V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

980mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 200V

電容@ Vr,F

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Surface Mount

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