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JAN1N6323US

JAN1N6323US

僅供參考

型號 JAN1N6323US
PNEDA編號 JAN1N6323US
描述 DIODE ZENER 9.1V 500MW B-SQ MELF
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N6323US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N6323US
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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JAN1N6323US規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/533
電壓-齊納(額定)(Vz)9.1V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)6 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 7V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 1A
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, B
供應商設備包裝B, SQ-MELF

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Microsemi Corporation

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±5%

功率-最大

1.5W

阻抗(最大值)(閽zt)

7.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

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功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

16 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 12.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-齊納(額定)(Vz)

4.3V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 100mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-齊納(額定)(Vz)

10V

公差

±2%

功率-最大

225mW

阻抗(最大值)(閽zt)

17 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

150V

公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

1 kOhms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 114V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

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