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JAN1N6629US

JAN1N6629US

僅供參考

型號 JAN1N6629US
PNEDA編號 JAN1N6629US
描述 DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N6629US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N6629US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N6629US規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/590
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)880V
電流-平均整流(Io)1.4A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 1.4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 880V
電容@ Vr,F40pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱E-MELF
供應商設備包裝D-5B
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

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制造商

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

200pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-128

供應商設備包裝

SOD-128

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 60A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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