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JAN1N6631U

JAN1N6631U

僅供參考

型號 JAN1N6631U
PNEDA編號 JAN1N6631U
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,844
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N6631U資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N6631U
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N6631U規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/590
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1.4A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.6V @ 1.4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)60ns
當前-反向泄漏@ Vr4µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, E
供應商設備包裝D-5B
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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1.35V @ 220A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.2µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

37pF @ 4V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

2.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 2.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1500V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

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