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JAN1N6642UB

JAN1N6642UB

僅供參考

型號 JAN1N6642UB
PNEDA編號 JAN1N6642UB
描述 DIODE GEN PURP 75V 300MA UB
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,082
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N6642UB資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N6642UB
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N6642UB規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/578
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)75V
電流-平均整流(Io)300mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 100mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)5ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 75V
電容@ Vr,F5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, No Lead
供應商設備包裝3-UB (3.09x2.45)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

150pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

R6, Axial

供應商設備包裝

R-6

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

125V

電流-平均整流(Io)

150mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

1nA @ 125V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

85A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 266.9A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

300pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 9A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

B, Axial

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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