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JAN1N755C-1

JAN1N755C-1

僅供參考

型號 JAN1N755C-1
PNEDA編號 JAN1N755C-1
描述 DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,034
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N755C-1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N755C-1
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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JAN1N755C-1規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/127
電壓-齊納(額定)(Vz)7.5V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)6 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 5V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

100 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 14.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35 (DO-204AH)

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

21 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 13.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

±5%

功率-最大

100mW

阻抗(最大值)(閽zt)

25 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

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40 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

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安裝類型

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

65 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 25V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

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包裝/箱

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