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JAN2N3250A

JAN2N3250A

僅供參考

型號 JAN2N3250A
PNEDA編號 JAN2N3250A
描述 TRANS PNP 60V 0.2A TO-39
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N3250A資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N3250A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N3250A規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/323
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 10mA, 1V
功率-最大360mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39 (TO-205AD)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

200nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 300mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

210MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 100mA, 2V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2mA, 10V

功率-最大

125mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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STMicroelectronics

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 2.4A, 12A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

18 @ 5A, 5V

功率-最大

125W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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