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JAN2N3506

JAN2N3506

僅供參考

型號 JAN2N3506
PNEDA編號 JAN2N3506
描述 TRANS NPN 40V 3A TO-39
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,808
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 2 - 一月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N3506資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N3506
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N3506規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/349
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 250mA, 2.5A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 1.5A, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39 (TO-205AD)

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300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 40mA, 20V

功率-最大

4W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 10V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

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10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

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-65°C ~ 200°C (TJ)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 2mA, 10V

功率-最大

150mW

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工作溫度

150°C (TJ)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 2.5A, 5V

功率-最大

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