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JAN2N3960UB

JAN2N3960UB

僅供參考

型號 JAN2N3960UB
PNEDA編號 JAN2N3960UB
描述 TRANS NPN 12V UB
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,012
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N3960UB資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N3960UB
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N3960UB規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/399
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 3mA, 30mA
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 10mA, 1V
功率-最大400mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, No Lead
供應商設備包裝UB

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 6V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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工作溫度

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 80mA, 400mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5A, 1V

功率-最大

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