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JAN2N5416S

JAN2N5416S

僅供參考

型號 JAN2N5416S
PNEDA編號 JAN2N5416S
描述 TRANS PNP 300V 1A TO-39
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N5416S資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N5416S
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N5416S規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/485
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 50mA, 10V
功率-最大750mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39 (TO-205AD)

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 100mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 3V

功率-最大

80W

頻率-過渡

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

5µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

850mV @ 1.5A, 15A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 500mA, 10V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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