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JAN2N5681

JAN2N5681

僅供參考

型號 JAN2N5681
PNEDA編號 JAN2N5681
描述 NPN TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,124
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 17 - 四月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N5681資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N5681
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N5681規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

170 @ 150mA, 10V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 1mA, 5V

功率-最大

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ON Semiconductor

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 12mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 3A, 3V

功率-最大

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

220V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

功率-最大

350mW

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300MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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