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JAN2N6249T1

JAN2N6249T1

僅供參考

型號 JAN2N6249T1
PNEDA編號 JAN2N6249T1
描述 TRANS NPN 200V 10A TO-3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N6249T1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N6249T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N6249T1規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/510
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)200V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 1A, 10A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 10A, 3V
功率-最大6W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
供應商設備包裝TO-254AA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

60mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 200mA, 10V

功率-最大

325mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 5A, 4V

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 2A, 6V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2.2mA, 5V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 3A, 1V

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