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JAN2N6251T1

JAN2N6251T1

僅供參考

型號 JAN2N6251T1
PNEDA編號 JAN2N6251T1
描述 TRANS NPN 350V 10A TO-3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N6251T1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N6251T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N6251T1規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/510
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)350V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 1.67A, 10A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce6 @ 10A, 3V
功率-最大6W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
供應商設備包裝TO-254AA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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