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JAN2N6796

JAN2N6796

僅供參考

型號 JAN2N6796
PNEDA編號 JAN2N6796
描述 MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,716
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N6796資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N6796
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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JAN2N6796規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/557
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs195mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs28.51nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)800mW (Ta), 25W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-39
包裝/箱TO-205AF Metal Can

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2615pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.8mOhm @ 15.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 450µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2700pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 60µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

81nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6500pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

107W (Tc)

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