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JANS1N5615

JANS1N5615

僅供參考

型號 JANS1N5615
PNEDA編號 JANS1N5615
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $213.7892
50 ---------- $203.7678
100 ---------- $193.7464
200 ---------- $183.7251
400 ---------- $175.3739
500 ---------- $167.0228
庫存 1,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 22 - 十一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANS1N5615資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANS1N5615
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JANS1N5615規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/429
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.6V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 200V
電容@ Vr,F45pF @ 12V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱A, Axial
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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840mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

電容@ Vr,F

400pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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二極管類型

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30V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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600V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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200V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 175V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

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