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JANS1N6318US

JANS1N6318US

僅供參考

型號 JANS1N6318US
PNEDA編號 JANS1N6318US
描述 DIODE ZENER 5.6V 500MW B-SQ MELF
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,804
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANS1N6318US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANS1N6318US
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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JANS1N6318US規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)5.6V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)1.2 kOhms
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 2.5V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 1A
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, B
供應商設備包裝B, SQ-MELF

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

15 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 15V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

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安裝類型

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

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功率-最大

300mW

阻抗(最大值)(閽zt)

90 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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-

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-

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

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阻抗(最大值)(閽zt)

19 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 18.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

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20V

公差

±5%

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

22 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 15.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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