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JANS1N6319US

JANS1N6319US

僅供參考

型號 JANS1N6319US
PNEDA編號 JANS1N6319US
描述 DIODE ZENER 6.2V 500MW B-SQ MELF
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,250
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANS1N6319US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANS1N6319US
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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JANS1N6319US規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/533
電壓-齊納(額定)(Vz)6.2V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)3 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 3.5V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 1A
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, B
供應商設備包裝B, SQ-MELF

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51V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

300 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 38.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-35 (DO-204AH)

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

2.7V

公差

±5%

功率-最大

410mW

阻抗(最大值)(閽zt)

75 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

100V

公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

350 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 76V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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制造商

Microsemi Corporation

系列

Military, MIL-PRF-19500/533

電壓-齊納(額定)(Vz)

8.2V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

27V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

80 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 20V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-80 MiniMELF

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