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JANS2N5416U4

JANS2N5416U4

僅供參考

型號 JANS2N5416U4
PNEDA編號 JANS2N5416U4
描述 TRANS PNP 300V 1A
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $7,095.4941
50 ---------- $6,762.8929
100 ---------- $6,430.2916
200 ---------- $6,097.6903
400 ---------- $5,820.5225
500 ---------- $5,543.3548
庫存 5,768
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANS2N5416U4資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANS2N5416U4
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANS2N5416U4規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/485
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 50mA, 10V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, No Lead
供應商設備包裝U4

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

155mV @ 75mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

450MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-96

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

345mV @ 600mA, 3.5A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 10V

功率-最大

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2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

370mV @ 75mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 200mA, 2V

功率-最大

500mW

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

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