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JANSR2N3810U

JANSR2N3810U

僅供參考

型號 JANSR2N3810U
PNEDA編號 JANSR2N3810U
描述 RH SMALL-SIGNAL BJT
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,150
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANSR2N3810U資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANSR2N3810U
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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JANSR2N3810U規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/336
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 1mA, 100µA
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce150 @ 1mA, 5V
功率-最大350mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, No Lead
供應商設備包裝6-SMD

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

200mW

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工作溫度

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Surface Mount

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150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V

功率-最大

1.7W

頻率-過渡

140MHz, 180MHz

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Surface Mount

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 2V

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