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JANTX1N1190R

JANTX1N1190R

僅供參考

型號 JANTX1N1190R
PNEDA編號 JANTX1N1190R
描述 DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,838
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX1N1190R資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX1N1190R
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JANTX1N1190R規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/297
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)35A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 110A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 150V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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100V

電流-平均整流(Io)

800mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

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