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JANTX1N3595-1

JANTX1N3595-1

僅供參考

型號 JANTX1N3595-1
PNEDA編號 JANTX1N3595-1
描述 DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,328
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 11 - 一月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX1N3595-1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX1N3595-1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JANTX1N3595-1規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/241
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)125V
電流-平均整流(Io)150mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果920mV @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)3µs
當前-反向泄漏@ Vr1nA @ 125V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 4A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

Microsemi Corporation

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

150mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

250mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 250mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5.9ns

當前-反向泄漏@ Vr

9µA @ 100V

電容@ Vr,F

39pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 30V

電容@ Vr,F

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