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JANTX1N5619US

JANTX1N5619US

僅供參考

型號 JANTX1N5619US
PNEDA編號 JANTX1N5619US
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX1N5619US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX1N5619US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JANTX1N5619US規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/429
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.6V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)250ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 600V
電容@ Vr,F25pF @ 12V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, A
供應商設備包裝D-5A
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

76pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

1.1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 1.1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 40V

電容@ Vr,F

28pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 50V

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