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JANTX1N649UR-1

JANTX1N649UR-1

僅供參考

型號 JANTX1N649UR-1
PNEDA編號 JANTX1N649UR-1
描述 DIODE GEN PURP 600V 400MA DO213
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX1N649UR-1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX1N649UR-1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JANTX1N649UR-1規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/240
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)400mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 400mA
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50nA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AA
供應商設備包裝DO-213AA
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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950mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

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0ns

當前-反向泄漏@ Vr

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