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JANTX2N3868S

JANTX2N3868S

僅供參考

型號 JANTX2N3868S
PNEDA編號 JANTX2N3868S
描述 TRANS PNP 60V 0.003A TO39
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,246
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX2N3868S資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX2N3868S
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTX2N3868S規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/350
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 250mA, 2.5A
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 1.5A, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39 (TO-205AD)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 3A, 4V

功率-最大

75W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

830mW

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工作溫度

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 5A, 1A

當前-集電極截止(最大值)

200nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1A, 5V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

230V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 800mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

5µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 5V

功率-最大

150W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

370mV @ 75mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 200mA, 2V

功率-最大

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