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JANTX2N3998

JANTX2N3998

僅供參考

型號 JANTX2N3998
PNEDA編號 JANTX2N3998
描述 TRANS NPN 80V 10A TO59
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,012
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX2N3998資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX2N3998
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTX2N3998規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/374
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 1A, 2V
功率-最大2W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱TO-210AA, TO-59-4, Stud
供應商設備包裝TO-59

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

20µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

12 @ 400mA, 3V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 1A

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 1V

功率-最大

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工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 4A, 2V

功率-最大

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工作溫度

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