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JANTX2N3999

JANTX2N3999

僅供參考

型號 JANTX2N3999
PNEDA編號 JANTX2N3999
描述 TRANS NPN 80V 10A TO59
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,524
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX2N3999資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX2N3999
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTX2N3999規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/374
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 1A, 2V
功率-最大2W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱TO-210AA, TO-59-4, Stud
供應商設備包裝TO-59

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

170MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 250mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1.5A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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