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JANTX2N6299

JANTX2N6299

僅供參考

型號 JANTX2N6299
PNEDA編號 JANTX2N6299
描述 TRANS PNP DARL 80V 8A TO-66
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 9,192
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX2N6299資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX2N6299
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTX2N6299規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/540
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 16mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)500µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce750 @ 4A, 3V
功率-最大64W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-213AA, TO-66-2
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 330mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 1A, 10V

功率-最大

20W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

70V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 2V

功率-最大

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 2V

功率-最大

750mW

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