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JANTX2N708

JANTX2N708

僅供參考

型號 JANTX2N708
PNEDA編號 JANTX2N708
描述 TRANS NPN 15V
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX2N708資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX2N708
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTX2N708規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/312
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)25nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 10mA, 1V
功率-最大360mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-18 (TO-206AA)

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 6A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

65W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220AB

FMMT491TC

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-23-3

ZTX788B

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 10mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 10mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

E-Line-3

供應商設備包裝

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

4.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

310mV @ 300mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 1V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

330mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 500mA, 10V

功率-最大

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